東莞市中鎵半導體科技有限公司總部位于廣東東莞，以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托，為國內首家專業(yè)生產氮化鎵（GaN）襯底材料以及開發(fā)相關技術的企業(yè)，本企業(yè)擁有若干核心專利，創(chuàng)造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，成功開發(fā)出了高品質的GAN襯底系列產品并已進入批量生產。同時，本企業(yè)專注于高端半導體技術，在北京有面積達2000㎡的大型研發(fā)中心，形成一個前期研發(fā)——中試——產業(yè)化緊密結合的科研鐵三角。預期以氮化鎵襯底材料為基礎，全面進入氮化物半導體技術的研發(fā)和生產，引進美國團隊及國際領先技術開展中下游的新型高亮度大功率垂直結構芯片、封裝應用等技術，實現(xiàn)完整的產業(yè)鏈的垂直整合結構發(fā)展，打造國際一流的大型半導體材料科研生產基地，逐步推進形成達千億產值的半導體產業(yè)集群。 廣東光大企業(yè)集團有限公司始創(chuàng)于1983年，是一家集房地產開發(fā)、工程建筑、貿易、百貨、科技等項目的大型多元化企業(yè)集團公司。旗下設十幾家全資子公司。 2000年，光大企業(yè)集團成立了“光大教育基金會” 2006年及2008年，，廣東光大企業(yè)集團曾兩次被評為“廣東省百強民營企業(yè)” 2009年光大集團斥資1億注冊“東莞市中鎵半導體科技有限公司” 關鍵技術組成及專利榮譽 公司以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托，目前擁有國家授權發(fā)明專利3項，申請發(fā)明專利3項，申請PCT國際專利2項。 國內外產學研合作交流 企業(yè)與國內多所著名院校建立長期良好的合作關系，包括北京大學、中科院物理所、中科院半導體所、清華大學、南京大學、中山大學、廈門大學、江蘇大學等等在半導體行業(yè)內有著研究基礎的高校。并與多個處于國際半導體行業(yè)領先技術水平著名的高校、企業(yè)等進行多項合作，包括英國University of Sheffield大學，MOCVD、HVPE設備制造商英國的Thomaswan和美國OSEMI公司、美國Texas Tech University、加拿大University of Sherbrooke、法國巴黎高師、日本千葉大學、韓國明知大學、荷蘭Crystal Q公司等。企業(yè)多次主辦、協(xié)辦系列半導體領域的國際性會議，為員工提供了一個高水平的學術交流平臺，兩年內參與會議包括： 2009亞太地區(qū)寬禁帶半導體國際會議（APWS） 2009中鎵公司贊助北京大學在東莞市松山湖召開高能物理前沿研計會 2010北京第8屆國際半導體發(fā)光器件研討會 2010兩岸半導體寬能隙國際研討會 主要產品簡介 GoST（GaN/Al2O3）復合襯底（2-4英寸） SP系列圖形化藍寶石襯底(PSS) MALLO型微區(qū)激光剝離機 根據(jù)公司有關政策細則規(guī)定可享受以下福利政策： 1.為員工購買社保四險，享受國家規(guī)定節(jié)假日； 2.項目研發(fā)專項獎； 3.免息買車買房的政策； 4.年終享受雙薪福利； 5.公司送手機及電話費； 6.春節(jié)返鄉(xiāng)享受車費報銷； 7.周未開通免費班車往返市區(qū)購物、旅游等； 8.員工可以參加每年一度旅游和年度抽獎； 9.公司提供免費食宿、配備空調宿舍； 10.公司配備籃球場、羽毛球場、兵乓球室、臺球室等娛樂項目供員工鍛煉身體。